igbt功率模塊發(fā)展前景如何

日期：2025-06-30 21:04

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摘要：現(xiàn)階段igbt模塊原材料是硅半導體，已使用二十余載，，抗壓為6500伏，電流為3600安，不能完成很大突破。因此，行業(yè)內公認igbt模塊技術現(xiàn)階段已接近封頂。但，對半導體行業(yè)，需求并不是根本，技術升級才能是掌握投資機會的主軸，一旦技術出現(xiàn)迭代，需求將不會出現(xiàn)線性增長的狀態(tài)?，F(xiàn)階段，igbt模塊在新能源車行業(yè)，就遭受了這個挑戰(zhàn)。業(yè)內人士廣泛認為，硅基igbt模塊逼近原材料特性，技術升級勢在必行。所以，以后碳化硅（SiC）半導體在一定行業(yè)和行業(yè)，包含電動汽車，會完成對硅半導體的很大更換。 SiC和G...

現(xiàn)階段igbt模塊原材料是硅半導體，已使用二十余載，，抗壓為6500伏，電流為3600安，不能完成很大突破。因此，行業(yè)內公認igbt模塊技術現(xiàn)階段已接近封頂。

但，對半導體行業(yè)，需求并不是根本，技術升級才能是掌握投資機會的主軸，一旦技術出現(xiàn)迭代，需求將不會出現(xiàn)線性增長的狀態(tài)?，F(xiàn)階段，igbt模塊在新能源車行業(yè)，就遭受了這個挑戰(zhàn)。業(yè)內人士廣泛認為，硅基igbt模塊逼近原材料特性，技術升級勢在必行。所以，以后碳化硅（SiC）半導體在一定行業(yè)和行業(yè)，包含電動汽車，會完成對硅半導體的很大更換。

SiC和GaN是第3代半導體材質，與半導體材質相比較，第3代半導體材質具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適用于制做高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，一般又被稱作寬禁帶半導體材質。

但，限制SiC用處的因素是成本費太高，產品參數(shù)也并不穩(wěn)定。目前SiC芯片成本費是igbt模塊的4-5倍，但業(yè)界預計SiC成本費三年內能夠降低到2倍左右。所以，業(yè)內也有聲音覺得，未來隨之第3代半導體的成本費快速降低，igbt模塊就可能會進一步被3代半導體取代。

實際上，目前已經(jīng)有廠家開始這么做了。2018年，特斯拉model3采用了意法半導體的24個碳化硅MOSFET模塊代替了igbt模塊，比照硅基的igbt模塊續(xù)航能夠提升 5~10%，這也被覺得是第3代半導體首先開始取代igbt模塊的苗頭。

國金證券研報講解，未來igbt模塊將向更低的開關損耗、更高的電流密度和更高的工作溫度發(fā)展，隨之數(shù)萬伏高壓、高過500℃的高溫、高頻、大功率等要求的提出，硅基igbt模塊的性能已經(jīng)接近材質性能極限，所以碳化硅（SiC）基igbt模塊將站上歷史舞臺。

短期來講，受限于成本費問題，未來3-5年igbt模塊重要的應用。但未來隨之SiC成本費的降低，穩(wěn)定性逐步提升，達到高量產，那個時候，igbt模塊的未來是不是會岌岌可危？

無論何時何地，只有把握核心技術方能占領行業(yè)話語權！與其他國產半導體相同，做為國產新能源汽車核心的igbt模塊同樣面臨著被國外控制的命運，在現(xiàn)實面前，只有快速達到國產替代，這樣，在面對未來時，我們才有更足的底氣和更大的贏面。

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